通道类型：P

最大连续漏极电流：16 A

最大漏源电压：30 V

最大漏源电阻值：41 m0hms

最大栅阈值电压：3V

最大栅源电压：-20 V、+20 V

封装类型：DPAK (TO-252)

安装类型：表面贴装

晶体管配置：单

引脚数目：3

通道模式：增强

最大功率耗散：10 W

每片芯片元件数目：1

宽度：6.22mm

典型接通延迟时间：3.5 ns

典型关断延迟时间：44 ns

典型输入电容值@Vds：1678 pF @ -15 V

典型栅极电荷@Vgs：31.6 nC @ 10 V

晶体管材料：Si

最高工作温度：+150 °C

长度：6.73mm

高度：2.39mm

尺寸：6.73 x 6.22 x 2.39mm

最低工作温度：-55 °C

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs