FET类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：11.5A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：41nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：2246pF @ 15V

Vgs（最大值）：±25V

功率耗散（最大值）：940mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：10 毫欧 @ 11.5A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerWDFN

封装形式Package：PowerDI

极性Polarity：P-CH

漏源极击穿电压VDSS：30V

连续漏极电流ID：11.5A

无铅情况/RoHs：否