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DMP3017SFV-7 /MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
DMP3017SFV-7的规格信息
DMP3017SFV-7的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerDI3333-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:40 A

Rds On-漏源导通电阻:8.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:41 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:31 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Diodes Incorporated

下降时间:36.8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:15.4 ns

工厂包装数量:2000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:45.6 ns

典型接通延迟时间:7.5 ns

供应商DMP3017SFV-7
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DMP3017SFV-730V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO521.62 Kbytes共7页DMP3017SFV-7的PDF下载地址
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