系列：汽车级，AEC-Q101

FET类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

DraintoSourceVoltage(Vdss)：20V

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3.1A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.25V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：7.8nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：303pF @ 10V

Vgs（最大值）：±12V

功率耗散（最大值）：780mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：90 毫欧 @ 3.5A，4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

无铅情况/RoHs：否