FET 类型：2 个 P 沟道（双）

FET 功能：标准

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：5.7A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：38 毫欧 @ 3.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：21.4nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：906pF @ 10V

功率 - 最大值：900mW

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-uFDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：U-DFN2030-6

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs