包装标准卷带

系列-

零件状态有源

FET 类型2 个 P 沟道（双）

FET 功能标准

漏源电压（Vdss）20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）2.25A

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）55 毫欧 @ 1A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）2.1nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）9-PowerTFQFN 模块

功率 - 最大值840mW

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

封装/外壳6-UFBGA

供应商器件封装Temperature，Vibration