FET类型：2 个 P 沟道
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：4.5A（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：50 毫欧 @ 2A，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：9.1nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：752pF @ 15V
功率-最大值：1.54W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：U-DFN2020-6（B 类）
无铅情况/RoHs：否