系列：DMP

最大工作温度：+ 150 C

最小工作温度：- 55 C

安装风格：SMD/SMT

配置：Single

下降时间：186 ns

典型接通延迟时间：16 ns

上升时间：62 ns

Vgs-栅极-源极电压：8 V

Pd-功率耗散：0.36 W

通道数量：1 Channel

Id-连续漏极电流：- 20 mA

Vds-漏源极击穿电压：- 12 V

晶体管类型：1 P-Channel

RdsOn-漏源导通电阻：800 mOhms

通道模式：Enhancement

晶体管极性：P-Channel

Qg-栅极电荷：0.84 nC

Vgsth-栅源极阈值电压：- 1 V

典型关闭延迟时间：232 ns

FET类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：200mA（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：0.84nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：55.4pF @ 10V

Vgs（最大值）：±8V

功率耗散（最大值）：360mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：800 毫欧 @ 200mA，4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：3-XFDFN

封装形式Package：X2-DFN

极性Polarity：P-CH

漏源极击穿电压VDSS：12V

连续漏极电流ID：0.2A

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs