FET 类型：2 个 P 沟道（双）
FET 功能：标准
漏源电压（Vdss）：12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3.9A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：59 毫欧 @ 3.6A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：20.8nC @ 8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1028pF @ 6V
功率 - 最大值：1.36W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：U-DFN2020-6（B 类）
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs