系列：汽车级，AEC-Q101
FET类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
DraintoSourceVoltage(Vdss)：12V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：2.5A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.3V，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：800mV @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：14nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：820pF @ 6V
Vgs（最大值）：±8V
功率耗散（最大值）：670mW（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：83 毫欧 @ 3A，4.5V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：4-uFBGA，WLBGA
无铅情况/RoHs：否