包装标准卷带
系列-
零件状态有源
FET 类型P 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）8V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）13.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）2.5V，4.5V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）5.7 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）8.2nC @ 4.5V
Vgs（最大值）±6V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）900pF @ 4V
FET 功能-
功率耗散（最大值）840mW（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装U-WLB1515-9（C 类）
封装/外壳9-UFBGA，WLBGA