包装标准卷带

系列-

零件状态有源

FET 类型P 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）8V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）16A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）2.5V，4.5V

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）5.7 毫欧 @ 2A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）9.5nC @ 4.5V

Vgs（最大值）-6V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）952pF @ 4V

FET 功能-

功率耗散（最大值）1.2W（Ta）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装X2-DSN1515-9

封装/外壳9-SMD，无引线