FET类型:2 个 N 沟道(双)
FET功能:标准
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):30 毫欧 @ 5.8A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):10.6nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):500pF @ 15V
功率-最大值:1W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:U-DFN2020-6(B 类)
封装形式Package:UDFN
极性Polarity:N-CH
漏源极击穿电压VDSS:30V
连续漏极电流ID:6.2A
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs