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DMN3029LFG-13 /Diodes Incorporated/分立半导体产品
DMN3029LFG-13的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

RoHS指令信息:RoHS Cert of Compliance

标准包装:1

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:剪切带(CT)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.3A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):18.6 毫欧 @ 10A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11.3nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):580pF @ 15V

功率 - 最大值:1W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-PowerVDFN

供应商器件封装:PowerDI3333-8

其它名称:DMN3029LFG-13DICTDMN3029LFG13

供应商DMN3029LFG-13
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