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DMN2058U-7 /DiodesZetex DMN2058U 系列 N沟道 MOSFET DMN2058U-7, 4.6 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
DMN2058U-7的规格信息
DMN2058U-7的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

通道类型:N

最大连续漏极电流:4.6 A

最大漏源电压:20 V

最大漏源电阻值:91 m0hms

最大栅阈值电压:1.2V

最小栅阈值电压:0.4V

最大栅源电压:-12 V、+12 V

封装类型:SOT-23

安装类型:表面贴装

引脚数目:3

晶体管配置:

通道模式:增强

类别:功率 MOSFET,切换 MOSFET

最大功率耗散:1.13 W

典型接通延迟时间:2 ns

典型关断延迟时间:9.9 ns

典型输入电容值@Vds:281 pF @ 10 V

系列:DMN2058U

高度:1mm

典型栅极电荷@Vgs:7.7 nC @ 10 V

每片芯片元件数目:1

宽度:1.4mm

最高工作温度:+150 °C

长度:3mm

尺寸:3 x 1.4 x 1mm

最低工作温度:-55 °C

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商DMN2058U-7
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DMN2058U-7MOSFET MOSFET BVDSS 8V-24VDiodes IncorporatedDiodes Incorporated的LOGO471.29 Kbytes共7页DMN2058U-7的PDF下载地址
DMN2058U-7MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3Diodes IncorporatedDiodes Incorporated的LOGO392.10 Kbytes共7页DMN2058U-7的PDF下载地址
DMN2058U-7连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.6A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.13W 类型:N沟道DIODES(美台)DIODES(美台)的LOGO480.38 Kbytes共7页DMN2058U-7的PDF下载地址
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DMN2058U-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3$0.08910
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DMN2058U-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS 8V-24V1:¥2.7685
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DMN2058U-7DIODES(美台)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.6A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.13W 类型:N沟道1+:¥0.2277
10+:¥0.2215
30+:¥0.2174
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