系列：DMN

单位重量：158 mg

最大工作温度：+ 150 C

最小工作温度：- 55 C

技术：Si

安装风格：SMD/SMT

下降时间：6.1 ns, 6.1 ns

典型接通延迟时间：5.2 ns, 5.2 ns

上升时间：13.5 ns, 13.5 ns

Vgs-栅极-源极电压：12 V, 12 V

Pd-功率耗散：890 mW

通道数量：2 Channel

Id-连续漏极电流：6.7 A, 6.7 A

Vds-漏源极击穿电压：20 V, 20 V

晶体管类型：2 N-Channel

RdsOn-漏源导通电阻：19 mOhms, 19 mOhms

通道模式：Enhancement

晶体管极性：N-Channel

Qg-栅极电荷：5.2 nC, 5.2 nC

Vgsth-栅源极阈值电压：500 mV, 500 mV

典型关闭延迟时间：19.8 ns, 19.8 ns

正向跨导-最小值：8 S

FET类型：2 N 沟道（双）共漏

FET功能：逻辑电平门

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：26 毫欧 @ 6A，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.2V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：5.2nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：570pF @ 10V

功率-最大值：890mW

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-TSSOP

封装形式Package：TSSOP

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：20V

连续漏极电流ID：6.7A

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs