FET类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
DraintoSourceVoltage(Vdss)：20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：4A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：4.3nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：339pF @ 10V
Vgs（最大值）：±8V
功率耗散（最大值）：940mW
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：38 毫欧 @ 3.6A，4.5V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
无铅情况/RoHs：否