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DMN1029UFDB-7 /MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgs 914pF 10.5nC
DMN1029UFDB-7的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:U-DFN2020-B-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:12 V

Id-连续漏极电流:5.6 A

Rds On-漏源导通电阻:29 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:10.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.4 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:DMN1029

晶体管类型:2 N-Channel

商标:Diodes Incorporated

下降时间:4.1 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10.5 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:16.6 ns

典型接通延迟时间:5 ns

单位重量:6.750 mg

供应商DMN1029UFDB-7
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