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D2014UK /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V-1GHz SE
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:TT Electronics

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:1 A

Vds-漏源极击穿电压:65 V

增益:13 dB

输出功率:2.5 W

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-171-6

配置:Single

工作频率:500 MHz

类型:RF Power MOSFET

商标:Semelab / TT Electronics

Pd-功率耗散:17.5 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:25

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V

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D2014UKSemelab / TT Electronics射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V-1GHz SE50:¥373.2164
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