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D2009UK /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-28V-1GHz PP
D2009UK的规格信息
D2009UK的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:TT Electronics

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:2 A

Vds-漏源极击穿电压:65 V

增益:10 dB

输出功率:10 W

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DQ

配置:Dual

工作频率:1 GHz

类型:RF Power MOSFET

商标:Semelab / TT Electronics

Pd-功率耗散:58 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:25

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V

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