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D2008UK /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V-400MHz SE

D2008UK的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:TT Electronics

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:2 A

Vds-漏源极击穿电压:65 V

增益:13 dB

输出功率:5 W

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-39-3

配置:Single

高度:4.95 mm

长度:9.4 mm

工作频率:400 MHz

类型:RF Power MOSFET

宽度:9.4 mm

商标:Semelab / TT Electronics

Pd-功率耗散:29 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:30

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V

D2008UK

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供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市芯幂科技有限公司	D2008UK	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	17080955875	Alien	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	D2008UK	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价
上海山峻电子有限公司	D2008UK	上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层	13818988389 17621743344	樊勉	询价
上海传泽电子科技有限公司	D2008UK	上海市松江区乐都西路825弄8990号5层	13381567868	刘经理	询价
深圳市联芯邦科技有限公司	D2008UK	深圳市龙华区上芬地铁口融创智汇大厦A座901-902室/深圳市福田区深纺大厦AB座2楼有谷电子市场B023室	18898775818 18898775818,13612825669	廖先生，连敏妹	询价
深圳市成源运利电子科技有限公司	D2008UK	深圳市福田区华强路东方时代广场A2705	159-13992480 15913992480	林先生	询价

D2008UK及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
D2008UK	METAL GATE RF SILICON FET	SEME-LAB[Seme LAB]		18.93 Kbytes	共2页		D1010UK,D1029UK,D1211UK,D2012UK,D2211UK,D2293UK,D5028UK,D1011UK,D1031UK,D1212UK

D2008UK的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Mouser 贸泽电子	D2008UK	Semelab / TT Electronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V-400MHz SE	120:¥213.6152 270:¥208.6206

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