制造商:TT Electronics

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:2 A

Vds-漏源极击穿电压:65 V

增益:13 dB

输出功率:5 W

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-39-3

配置:Single

高度:4.95 mm

长度:9.4 mm

工作频率:400 MHz

类型:RF Power MOSFET

宽度:9.4 mm

商标:Semelab / TT Electronics

Pd-功率耗散:29 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:30

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V