CRSS052N08N
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A(Tc) 漏源电压(Vdss):85V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5.2mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):174W(Tc) 类型:N沟道
CRSS052N08N的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)85V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)120A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻5.2mΩ @ 50A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)174W(Tc)
类型N沟道
CRSS052N08N
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| CRSS052N08N | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A(Tc) 漏源电压(Vdss):85V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5.2mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):174W(Tc) 类型:N沟道 | CRMICRO(华润微) |  | 606.25 Kbytes | 共10页 |  | 无 |
CRSS052N08N的全球分销商及价格
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 立创商城 | CRSS052N08N | CRMICRO(华润微) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A(Tc) 漏源电压(Vdss):85V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5.2mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):174W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥3.18 10+:¥2.38 30+:¥2.23 100+:¥2.08 500+:¥2.02 1000+:¥1.99
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