CRSD082N10L2
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):78A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:8.6mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):101W(Tc) 类型:N沟道
CRSD082N10L2的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)78A(Tc)
栅源极阈值电压2.2V @ 250uA
漏源导通电阻8.6mΩ @ 50A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)101W(Tc)
类型N沟道
CRSD082N10L2
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| CRSD082N10L2 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):78A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:8.6mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):101W(Tc) 类型:N沟道 | CRMICRO(华润微) |  | 588.91 Kbytes | 共9页 |  | 无 |
CRSD082N10L2的全球分销商及价格
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 立创商城 | CRSD082N10L2 | CRMICRO(华润微) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):78A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:8.6mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):101W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥2.8 10+:¥2.05 30+:¥1.91 100+:¥1.77 500+:¥1.71 1000+:¥1.68
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