CRSS038N08N
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：85V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3.8mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：208W(Tc) 类型：N沟道
CRSS038N08N的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）85V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）120A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻3.8mΩ @ 50A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）208W(Tc)
类型N沟道
CRSS038N08N
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| CRSS038N08N | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：85V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3.8mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：208W(Tc) 类型：N沟道 | CRMICRO(华润微) |  | 584.88 Kbytes | 共10页 |  | 无 |
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10+:￥3.33
30+:￥3.14
100+:￥2.94
500+:￥2.86
1000+:￥2.81
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