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CPH6616-TL-E /SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation/分立半导体产品
CPH6616-TL-E的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.5A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):105 毫欧 @ 1.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.2nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):187pF @ 10V

功率 - 最大值:900mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装:6-CPH

其它名称:869-1146-2

供应商CPH6616-TL-E
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