晶体管类型：2 PNP（双）

不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）：380mV @ 10mA，500mA

电流-集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）：200 @ 100mA，2V

功率-最大值：1.1W

频率-跃迁：420MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-CPH

封装形式Package：CPH

极性Polarity：PNP

集电极最大允许电流Ic：1A

集电极_发射极击穿电压VCEO：50V

功率 - 最大值：1.1W

频率 - 跃迁：420MHz

封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：1A

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：380mV @ 10mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：200 @ 100mA，2V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs