FET类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4V，10V
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：13nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：600pF @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：1.6W（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：43 毫欧 @ 3A，10V
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装形式Package：CPH
极性Polarity：P-CH
漏源极击穿电压VDSS：30V
连续漏极电流ID：6A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：600pF @ 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：43 毫欧 @ 3A，10V
FET 类型：P 沟道
漏源极电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6A（Ta）
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：13nC @ 10V
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs