包装标准卷带

系列-

零件状态停產

FET 类型P 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4V，10V

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）59 毫欧 @ 3A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）-

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）10nC @ 10V

Vgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）430pF @ 10V

FET 功能-

功率耗散（最大值）1.6W（Ta）

工作温度150°C

安装类型表面贴装型

供应商器件封装6-CPH

封装/外壳SOT-23-6 细型，TSOT-23-6