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CGHV59070F /射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.4-5.9GHz, 70 Watt
CGHV59070F的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Cree, Inc.

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

发货限制:Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

RoHS:

晶体管类型:HEMT

技术:GaN

增益:14 dB

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:150 V

Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V, 2 V

Id-连续漏极电流:6.3 A

输出功率:76 W

最大漏极/栅极电压:-

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:-

安装风格:Screw Mount

封装 / 箱体:440224

封装:Tray

工作频率:4.4 GHz to 5.9 GHz

工作温度范围:- 40 C to + 150 C

商标:Wolfspeed / Cree

正向跨导 - 最小值:-

产品类型:RF JFET Transistors

工厂包装数量:75

子类别:Transistors

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CGHV59070FWolfspeed / Cree射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.4-5.9GHz, 70 Watt价格未公开