制造商:Cree, Inc.

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

发货限制：此产品可能需要其他文件才能从美国出口。

RoHS:是

晶体管类型:HEMT

技术:GaN

增益:20.3 dB

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:125 V

Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V, 2 V

Id-连续漏极电流:18 A

输出功率:180 W

最大漏极/栅极电压:-

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:150 W

安装风格:Screw Mount

封装 / 箱体:440223

封装:Tray

工作频率:DC to 1000 MHz

商标:Wolfspeed / Cree

正向跨导 - 最小值:-

开发套件:CGHV40180F-TB1

产品类型:RF JFET Transistors

工厂包装数量:50

子类别:Transistors

Vgs th-栅源极阈值电压:- 3.8 V