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CG2H80120D-GP4 /射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Bare Die 28V DC-8.0GHz 120W
CG2H80120D-GP4的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Cree, Inc.

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

发货限制:Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

RoHS:

晶体管类型:HEMT

技术:GaN

晶体管极性:N-Channel

输出功率:120 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:Die

封装:Gel Pack

工作频率:8 GHz

商标:Wolfspeed / Cree

产品类型:RF JFET Transistors

工厂包装数量:50

子类别:Transistors

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CG2H80120D-GP4Wolfspeed / Cree射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Bare Die 28V DC-8.0GHz 120W价格未公开