CG2H80030D-GP4
/射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 30 Watt
CG2H80030D-GP4的规格信息
制造商:Cree, Inc.
产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS:是
晶体管类型:HEMT
技术:GaN
增益:16.5 dB
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:120 V
Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流:3 A
输出功率:30 W
最小工作温度:-
最大工作温度:+ 225 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:Die
封装:Gel Pack
工作频率:8 GHz
商标:Wolfspeed / Cree
产品类型:RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻:410 mOhms
工厂包装数量:10
子类别:Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V
CG2H80030D-GP4
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| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| CG2H80030D-GP4 | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 30 Watt | Wolfspeed / Cree |  | 1.34 Mbytes | 共5页 |  | 无 |
CG2H80030D-GP4的全球分销商及价格
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Mouser 贸泽电子 | CG2H80030D-GP4 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 30 Watt | 10:¥561.6213
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