制造商:Cree, Inc.

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:是

晶体管类型:HEMT

技术:GaN

增益:16 dB

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:120 V

Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V, 2 V

Id-连续漏极电流:6 A

输出功率:45 W

最大漏极/栅极电压:-

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:-

安装风格:Screw Mount

封装 / 箱体:440193

封装:Tray

工作频率:DC to 4 GHz

商标:Wolfspeed / Cree

正向跨导 - 最小值:-

开发套件:CG2H40045F-TB

产品类型:RF JFET Transistors

工厂包装数量:120

子类别:Transistors

Vgs th-栅源极阈值电压:- 3.8 V