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CEM9288 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:13mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道
CEM9288的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)10A

栅源极阈值电压1V @ 250uA

漏源导通电阻13mΩ @ 4A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)2W

类型双N沟道

供应商CEM9288
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CEM9288CET(华瑞)连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:13mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道1+:¥1.2612
10+:¥0.9328
30+:¥0.8725
100+:¥0.8121
500+:¥0.7853
1000+:¥0.7721