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CEM8311 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.9A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双P沟道
CEM8311的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）30V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）7.9A

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻20mΩ @ 7A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）2W

类型双P沟道

供应商CEM8311
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10+:￥1.051
30+:￥0.9868
100+:￥0.9225
500+:￥0.8939
1000+:￥0.8798
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