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CEM8208 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:22mΩ @ 7A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道
CEM8208的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)7A

栅源极阈值电压1.2V @ 250uA

漏源导通电阻22mΩ @ 7A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)2W

类型双N沟道

供应商CEM8208
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CEM8208CET(华瑞)连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:22mΩ @ 7A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道1+:¥0.9338
10+:¥0.7052
30+:¥0.6632
100+:¥0.6212
500+:¥0.6025
1000+:¥0.5933