CEM4052
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:6.6mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道
CEM4052的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)16A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻6.6mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)2.5W
类型N沟道
CEM4052
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CEM4052 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | CET[Chino-Excel Technology] | ![CET[Chino-Excel Technology]的LOGO](/PdfSupLogo/33CET.GIF) | 252.13 Kbytes | 共4页 |  | 无 |
CEM4052的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 立创商城 | CEM4052 | CET(华瑞) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:6.6mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道 | 1+:¥1.9292 10+:¥1.4474 30+:¥1.3589 100+:¥1.2704 500+:¥1.2311 1000+:¥1.2116
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