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CED3120 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):36A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):33W(Tc) 类型:N沟道
CED3120的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)36A(Tc)

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻15mΩ @ 20A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)33W(Tc)

类型N沟道

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CED3120CET(华瑞)连续漏极电流(Id)(25°C 时):36A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):33W(Tc) 类型:N沟道1+:¥1.4009
10+:¥1.051
30+:¥0.9868
100+:¥0.9225
500+:¥0.8939
1000+:¥0.8798