CEC3172
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):26A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 6.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道
CEC3172的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)26A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻20mΩ @ 6.3A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)2.5W
类型N沟道
CEC3172
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CEC3172 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):26A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 6.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道 | CET(华瑞) |  | 411.79 Kbytes | 共4页 |  | 无 |
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 立创商城 | CEC3172 | CET(华瑞) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):26A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 6.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道 | 1+:¥0.8691 10+:¥0.6521 30+:¥0.6122 100+:¥0.5724 500+:¥0.5546 1000+:¥0.5459
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