CEC2088E
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):36A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 3.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):17.8W(Tc) 类型:双N沟道
CEC2088E的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)36A
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻9mΩ @ 3.5A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)17.8W(Tc)
类型双N沟道
CEC2088E
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CEC2088E | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):36A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 3.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):17.8W(Tc) 类型:双N沟道 | CET(华瑞) |  | 756.99 Kbytes | 共4页 |  | 无 |
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 立创商城 | CEC2088E | CET(华瑞) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):36A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 3.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):17.8W(Tc) 类型:双N沟道 | 1+:¥1.4695 10+:¥1.0658 30+:¥0.9916 100+:¥0.9175 500+:¥0.8845 1000+:¥0.8683
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