包装盒
系列-
零件状态有源
FET 类型2 个 N 通道(半桥)
FET 功能碳化硅 (SiC)
漏源电压(Vdss)1200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)450A
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)3.7 毫欧 @ 450A,15V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3.6V @ 132mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)1330nC @ 15V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)38000pF @ 800V
功率 - 最大值850W
工作温度-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型底座安装
封装/外壳模块
供应商器件封装模块