包装盒

系列-

零件状态有源

FET 类型2 N-通道（双）

FET 功能碳化硅 （SiC）

漏源电压（Vdss）1200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）395A（Tc）

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）5.3毫欧 @ 400A，15V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3.6V @ 92mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）908nC @ 15V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2450pF @ 800V

功率 - 最大值-

工作温度-40°C ~ 175°C（TJ）

安装类型底座安装

封装/外壳模块

供应商器件封装模块