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BUZ341 / MOSFET
BUZ341的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:33 A

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Rds On-漏源导通电阻:70 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:170 W

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-218-3

商标:Infineon Technologies

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:160 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:110 ns

典型关闭延迟时间:450 ns

典型接通延迟时间:40 ns

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Quest Components		BUZ341Infineon Technologies AG 33 A, 200 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218AA价格未公开
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