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BUK7K5R6-30E,115 /MOSFET Dual N-channel 30 V 5.6 mo FET
BUK7K5R6-30E,115的规格信息
BUK7K5R6-30E,115的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:LFPAK56D-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:40 A

Rds On-漏源导通电阻:4.76 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:29.7 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:64 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:2 N-Channel

商标:Nexperia

下降时间:12.9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:1500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:17.9 ns

典型接通延迟时间:9.2 ns

单位重量:118 mg

供应商BUK7K5R6-30E,115
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深圳市科思奇电子科技有限公司BUK7K5R6-30E,115上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
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13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
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13380394549		颜小姐Email:2881915365@qq.com询价
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万三科技（深圳）有限公司BUK7K5R6-30E,115深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园6090755-21006672
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深圳市良普科电子有限公司BUK7K5R6-30E,115华强北上步工业区501栋503室0755-82568696
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BUK7K5R6-30E,115TRANSISTOR >30MHZNXP USA Inc.NXP USA Inc.的LOGO738.19 Kbytes共13页BUK7K5R6-30E,115的PDF下载地址无
BUK7K5R6-30E,115连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：4V @ 1mA 漏源导通电阻：5.6mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：64W 类型：双N沟道Nexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO738.19 Kbytes共13页BUK7K5R6-30E,115的PDF下载地址无
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Arrow(艾睿)		BUK7K5R6-30E,115NXP SemiconductorsFET - 阵列 TrenchMOS?? 分立半导体产品1+:￥9.6901
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Digi-Key 得捷电子		BUK7K5R6-30E,115Nexperia USA Inc.MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D$1.22000
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Digi-Key 得捷电子		BUK7K5R6-30E,115NXP USA Inc.TRANSISTOR >30MHZ$0.45000
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立创商城		BUK7K5R6-30E,115Nexperia(安世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：4V @ 1mA 漏源导通电阻：5.6mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：64W 类型：双N沟道1+:￥9.75
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