制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:I2PAK-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:120 A

Rds On-漏源导通电阻:1.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:118 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:324 W

配置:Single

资格:AEC-Q101

封装:Tube

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Nexperia

下降时间:52 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:49 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:87 ns

典型接通延迟时间:35 ns

单位重量:2.387 g