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BUK7E5R2-100E,127 /MOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
BUK7E5R2-100E,127的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:I2PAK-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:120 A

Rds On-漏源导通电阻:4.1 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:180 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:349 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Tube

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Nexperia

下降时间:80 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:62 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:158 ns

典型接通延迟时间:37 ns

单位重量:2.300 g

供应商BUK7E5R2-100E,127
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