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BSZ050N03LSG / MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ050N03LSG的规格信息
BSZ050N03LSG的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:16 A

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Rds On-漏源导通电阻:5 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:2.2 V

Qg-栅极电荷:8.4 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.1 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSDSON-8

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single Quad Drain Triple Source

下降时间:3.6 ns

正向跨导 - 最小值:38 S

最小工作温度:- 55 C

上升时间:4 ns

系列:OptiMOS 3

工厂包装数量:5000

商标名:OptiMOS

典型关闭延迟时间:21 ns

典型接通延迟时间:5.2 ns

零件号别名:BSZ050N03LSGATMA1 BSZ050N03LSGXT SP000304139

供应商BSZ050N03LSG
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BSZ050N03LSG的全球分销商及价格
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Avnet Express
BSZ050N03LSGInfineon Technologies Americas Inc.- Tape and Reel5,000 : $0.3244
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Mouser 贸泽电子
BSZ050N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 31:¥5.9212
10:¥4.9155
100:¥3.1753
1,000:¥2.5425
5,000:¥2.147
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Rochester Electronics
BSZ050N03LSGInfineon Technologies AGN/A500 : $0.36
1,000 : $0.34
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立创商城
BSZ050N03LSGATMA1Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.1W 类型:N沟道1+:¥3.37
10+:¥3.28
30+:¥3.22
100+:¥3.16