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BSZ040N04LSG / MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ040N04LSG的规格信息
BSZ040N04LSG的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:18 A

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Rds On-漏源导通电阻:4 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.1 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSDSON-8

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single Quad Drain Triple Source

下降时间:5.4 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:4.8 ns

系列:OptiMOS 3

工厂包装数量:5000

商标名:OptiMOS

典型关闭延迟时间:33 ns

典型接通延迟时间:8.5 ns

零件号别名:BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSGXT SP000388295

供应商BSZ040N04LSG
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BSZ040N04LSGOptiMOS™3 Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO336.07 Kbytes共9页BSZ040N04LSG的PDF下载地址
BSZ040N04LSGATMA1MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO1.54 Mbytes共11页BSZ040N04LSGATMA1的PDF下载地址
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BSZ040N04LSGATMA1连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2V @ 36uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.1W 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO326.39 Kbytes共9页BSZ040N04LSGATMA1的PDF下载地址
BSZ040N04LSG的全球分销商及价格
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BSZ040N04LSGInfineon Technologies Americas Inc.- Tape and Reel5,000 : $0.4512
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Digi-Key 得捷电子
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON$1.15000
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Mouser 贸泽电子
BSZ040N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 31:¥7.9891
10:¥6.8252
100:¥5.2432
500:¥4.633
5,000:¥3.2431
10,000:查看
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Rochester Electronics
BSZ040N04LSGInfineon Technologies AGN/A500 : $0.46
1,000 : $0.44
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立创商城
BSZ040N04LSGATMA1Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2V @ 36uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.1W 类型:N沟道1+:¥5.59
10+:¥5.44
30+:¥5.33
100+:¥5.23