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BSS84PWH6327XTSA1 /MOSFET P-Ch -60V 150mA SOT-323-3
BSS84PWH6327XTSA1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-323-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:150 mA

Rds On-漏源导通电阻:4.6 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:1.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:300 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.9 mm

长度:2 mm

系列:BSS84

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:1.25 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:80 mS

下降时间:20.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:16.2 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:8.6 ns

典型接通延迟时间:6.7 ns

零件号别名:BSS84PW BSS84PWH6327XT H6327 SP000917564

单位重量:5 mg

供应商BSS84PWH6327XTSA1
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BSS84PWH6327XTSA1连续漏极电流(Id)(25°C 时):150mA 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2V @ 20uA 漏源导通电阻:8Ω @ 150mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:P沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO434.30 Kbytes共9页BSS84PWH6327XTSA1的PDF下载地址
BSS84PWH6327XTSA1的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子
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Mouser 贸泽电子
BSS84PWH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -60V 150mA SOT-323-31:¥2.5312
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
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BSS84PWH6327XTSA1Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):150mA 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2V @ 20uA 漏源导通电阻:8Ω @ 150mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:P沟道5+:¥0.528236
50+:¥0.394922
150+:¥0.370436
500+:¥0.34595
2500+:¥0.335068
5000+:¥0.32969