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BSS138P,215 /MOSFET N-CH 60 V 360 mA
BSS138P,215的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:360 mA

Rds On-漏源导通电阻:1.6 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:900 mV

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:0.72 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:420 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

产品:MOSFET Small Signal

晶体管类型:1 N-Channel Trench MOSFET

商标:Nexperia

下降时间:4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:3 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:9 ns

典型接通延迟时间:2 ns

单位重量:25 mg

供应商BSS138P,215
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BSS138P,215MOSFET N-CH 60V 360MA TO236ABNexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.的LOGO737.24 Kbytes共16页BSS138P,215的PDF下载地址
BSS138P,215连续漏极电流(Id)(25°C 时):360mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.6Ω @ 300mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道Nexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO172.88 Kbytes共16页BSS138P,215的PDF下载地址
BSS138P,215的全球分销商及价格
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BSS138P,215NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 60 V 360 mA3000+:¥0.3
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BSS138P,215NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 60 V 360 mA3000+:¥0.3
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Digi-Key 得捷电子
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Digi-Key 得捷电子
BSS138P,215Nexperia USA Inc.MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB$0.19000
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BSS138P,215NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 60 V 360 mA3000+:¥0.3
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
BSS138P,215NexperiaMOSFET N-CH 60 V 360 mA1:¥1.8419
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Verical
BSS138P,215NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 60 V 360 mA3000+:¥0.3
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立创商城
BSS138P,215Nexperia(安世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):360mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.6Ω @ 300mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道20+:¥0.196767
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